SI7322DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7322DN-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.72 |
10+ | $1.533 |
100+ | $1.1954 |
500+ | $0.9875 |
1000+ | $0.7796 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 5.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Grundproduktnummer | SI7322 |
SI7322DN-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI7322DN-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
SI7320DN-T1-GE3 VISHAY
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
VISHAY QFN8
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
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MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
VISHAY QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7322DN-T1-E3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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